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文献
J-GLOBAL ID:201502242780754152   整理番号:15A0529835

小さなランダム配向種と大きな配向種から成長した太陽電池用シリコンにおける欠陥形成の比較

Comparison of defect formations in solar silicon growth from small random and large oriented seeds
著者 (7件):
HSIEH C.C.
(Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, TWN)
WU Y.C.
(Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, TWN)
LAN A.
(Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, TWN)
LAN A.
(Sino-American Silicon Productions Inc., Hsin-chu, Taiwan, TWN)
HSU H.P.
(Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, TWN)
HSU C.
(Sino-American Silicon Productions Inc., Hsin-chu, Taiwan, TWN)
LAN C.W.
(Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, TWN)

資料名:
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

巻: 419  ページ: 1-6  発行年: 2015年06月01日 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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