文献
J-GLOBAL ID:201502242780754152
整理番号:15A0529835
小さなランダム配向種と大きな配向種から成長した太陽電池用シリコンにおける欠陥形成の比較
Comparison of defect formations in solar silicon growth from small random and large oriented seeds
著者 (7件):
HSIEH C.C.
(Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, TWN)
,
WU Y.C.
(Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, TWN)
,
LAN A.
(Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, TWN)
,
LAN A.
(Sino-American Silicon Productions Inc., Hsin-chu, Taiwan, TWN)
,
HSU H.P.
(Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, TWN)
,
HSU C.
(Sino-American Silicon Productions Inc., Hsin-chu, Taiwan, TWN)
,
LAN C.W.
(Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, TWN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
419
ページ:
1-6
発行年:
2015年06月01日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)