文献
J-GLOBAL ID:201502243327098380
整理番号:15A0241262
温度上昇時のヘテロエピタキシャルGaN-on-サファイア基板のX線回折のロッキングカーブ測定による反りの評価
Estimation of bowing in hetero-epitaxial GaN-on-sapphire substrate at elevated temperatures by X-ray diffraction rocking curve measurement
著者 (4件):
AIDA Hideo
(Namiki Precision Jewel Co., Ltd, 3-8-22 Shinden, Adachi-ku, Tokyo 123-8511, JPN)
,
AIDA Hideo
(Kastec, Kyushu Univ., Kasuga-shi, Fukuoka 816-8580, JPN)
,
KIM Seong-woo
(Namiki Precision Jewel Co., Ltd, 3-8-22 Shinden, Adachi-ku, Tokyo 123-8511, JPN)
,
SUZUKI Toshimasa
(Nippon Inst. of Technol., 4-1 Gakuendai, Saitama 345-8501, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
412
ページ:
60-66
発行年:
2015年02月15日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)