文献
J-GLOBAL ID:201502244957936500
整理番号:15A0145738
Ga(In)NP中の深準位正孔トラップの二波長励起光ルミネセンス分光
Dual-wavelength excited photoluminescence spectroscopy of deep-level hole traps in Ga(In)NP
著者 (6件):
DAGNELUND D.
(Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE)
,
HUANG Y. Q.
(Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE)
,
TU C. W.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, La Jolla, CA 92093, USA)
,
YONEZU H.
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi Univ. of Technol., Toyohashi, Aichi 441-8580, JPN)
,
BUYANOVA I. A.
(Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE)
,
CHEN W. M.
(Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
117
号:
1
ページ:
015701-015701-9
発行年:
2015年01月07日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)