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文献
J-GLOBAL ID：201502245769302680
整理番号：15A0127392
太陽電池の光起電特性へのInGaN/GaN多重量子井戸構造の影響
Influence of InGaN/GaN multiple quantum well structure on photovoltaic characteristics of solar cell
WATANABE Noriyuki
(Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN)
,
MITSUHARA Manabu
(Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN)
,
YOKOYAMA Haruki
(Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN)
,
LIANG Jianbo
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
SHIGEKAWA Naoteru
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53 号： 11 ページ： 112301.1-112301.9 発行年： 2014年11月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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