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文献
J-GLOBAL ID：201502246021566770
整理番号：15A0700882
配向結晶InGaZnOチャンネルを使用した薄膜トランジスタの構造と電気特性
Structural and electrical characteristics of thin film transistor employing an oriented crystalline InGaZnO channel
YEN Shiang-Shiou
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
HSU Hsiao-Hsuan
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHIOU Ping
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHENG Chun-Hu
(National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
,
TUNG Chien-Hung
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LAI Yu-Chien
(AU Optronics Corp., Hsinchu, TWN)
,
LI Hung-Wei
(AU Optronics Corp., Hsinchu, TWN)
,
CHANG Chih-Pang
(AU Optronics Corp., Hsinchu, TWN)
,
LU Hsueh-Hsing
(AU Optronics Corp., Hsinchu, TWN)
,
CHUANG Ching-Sang
(AU Optronics Corp., Hsinchu, TWN)
,
LIN Yu-Hsin
(AU Optronics Corp., Hsinchu, TWN)
,
CHANG Chun-Yen
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54 号： 4S ページ： 04DF05.1-04DF05.5 発行年： 2015年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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