文献
J-GLOBAL ID:201502246021566770
整理番号:15A0700882
配向結晶InGaZnOチャンネルを使用した薄膜トランジスタの構造と電気特性
Structural and electrical characteristics of thin film transistor employing an oriented crystalline InGaZnO channel
著者 (12件):
YEN Shiang-Shiou
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
HSU Hsiao-Hsuan
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHIOU Ping
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHENG Chun-Hu
(National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
,
TUNG Chien-Hung
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LAI Yu-Chien
(AU Optronics Corp., Hsinchu, TWN)
,
LI Hung-Wei
(AU Optronics Corp., Hsinchu, TWN)
,
CHANG Chih-Pang
(AU Optronics Corp., Hsinchu, TWN)
,
LU Hsueh-Hsing
(AU Optronics Corp., Hsinchu, TWN)
,
CHUANG Ching-Sang
(AU Optronics Corp., Hsinchu, TWN)
,
LIN Yu-Hsin
(AU Optronics Corp., Hsinchu, TWN)
,
CHANG Chun-Yen
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
54
号:
4S
ページ:
04DF05.1-04DF05.5
発行年:
2015年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)