文献
J-GLOBAL ID:201502246046074066
整理番号:15A0609711
InGaN単一層量子井戸中の置換型不純物の電子的性質
Electronic properties of substitutional impurities in InGaN monolayer quantum wells
著者 (3件):
ALFIERI G.
(Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyotodaigaku-katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, JPN)
,
TSUTSUMI T.
(Dep. of Materials System Sci., Yokohama City Univ., Yokohama 236-0027, JPN)
,
MICHELETTO R.
(Dep. of Materials System Sci., Yokohama City Univ., Yokohama 236-0027, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
106
号:
19
ページ:
192102-192102-4
発行年:
2015年05月11日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)