文献
J-GLOBAL ID:201502246052065770
整理番号:15A0202798
AlNエミッタ障壁がある10nm以下のベースのGaNトンネルホットエレクトロントランジスタの電流利得
Current gain in sub-10 nm base GaN tunneling hot electron transistors with AlN emitter barrier
著者 (5件):
YANG Zhichao
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
,
ZHANG Yuewei
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
,
NATH Digbijoy N.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
,
KHURGIN Jacob B.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Johns Hopkins Univ., Baltimore, Maryland 21218, USA)
,
RAJAN Siddharth
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
106
号:
3
ページ:
032101-032101-4
発行年:
2015年01月19日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)