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文献
J-GLOBAL ID：201502246052065770
整理番号：15A0202798
AlNエミッタ障壁がある10nm以下のベースのGaNトンネルホットエレクトロントランジスタの電流利得
Current gain in sub-10 nm base GaN tunneling hot electron transistors with AlN emitter barrier
YANG Zhichao
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
,
ZHANG Yuewei
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
,
NATH Digbijoy N.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
,
KHURGIN Jacob B.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Johns Hopkins Univ., Baltimore, Maryland 21218, USA)
,
RAJAN Siddharth
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 106 号： 3 ページ： 032101-032101-4 発行年： 2015年01月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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