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文献
J-GLOBAL ID：201502246291896420
整理番号：15A0332562
長波長の発光のための量子ドットの歪エンジニアリング:GaAs(001)上に成長させた自己集合InAs量子ドットからの1.55μmを越える波長の光ルミネセンス
Strain engineering of quantum dots for long wavelength emission: Photoluminescence from self-assembled InAs quantum dots grown on GaAs(001) at wavelengths over 1.55 μm
SHIMOMURA K.
(Toyota Technological Inst. 2-12-1 Hisakata, Tempaku, Nagoya 468-8511, JPN)
,
KAMIYA I.
(Toyota Technological Inst. 2-12-1 Hisakata, Tempaku, Nagoya 468-8511, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 106 号： 8 ページ： 082103-082103-4 発行年： 2015年02月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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