文献
J-GLOBAL ID:201502246291896420
整理番号:15A0332562
長波長の発光のための量子ドットの歪エンジニアリング:GaAs(001)上に成長させた自己集合InAs量子ドットからの1.55μmを越える波長の光ルミネセンス
Strain engineering of quantum dots for long wavelength emission: Photoluminescence from self-assembled InAs quantum dots grown on GaAs(001) at wavelengths over 1.55 μm
著者 (2件):
SHIMOMURA K.
(Toyota Technological Inst. 2-12-1 Hisakata, Tempaku, Nagoya 468-8511, JPN)
,
KAMIYA I.
(Toyota Technological Inst. 2-12-1 Hisakata, Tempaku, Nagoya 468-8511, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
106
号:
8
ページ:
082103-082103-4
発行年:
2015年02月23日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)