文献
J-GLOBAL ID:201502247531302456
整理番号:15A0688778
SiOCH超低k膜とF原子の相互作用 パート2:エッチング
Interaction of F atoms with SiOCH ultra low-k films. Part II: etching
著者 (9件):
RAKHIMOVA T V
(Moscow State Univ., Moscow, RUS)
,
LOPAEV D V
(Moscow State Univ., Moscow, RUS)
,
MANKELEVICH Yu A
(Moscow State Univ., Moscow, RUS)
,
KURCHIKOV K A
(Moscow State Univ., Moscow, RUS)
,
ZYRYANOV S M
(Moscow State Univ., Moscow, RUS)
,
PALOV A P
(Moscow State Univ., Moscow, RUS)
,
PROSHINA O V
(Moscow State Univ., Moscow, RUS)
,
MASLAKOV K I
(Moscow State Univ., Moscow, RUS)
,
BAKLANOV M R
(IMEC, Heverlee, BEL)
資料名:
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻:
48
号:
17
ページ:
175204,1-14
発行年:
2015年05月08日
JST資料番号:
B0092B
ISSN:
0022-3727
CODEN:
JPAPBE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)