文献
J-GLOBAL ID:201502248371865323
整理番号:15A0533057
二重周波数容量結合プラズマのSiO2エッチング特性におよぼすソース周波数とパルス化の影響
Effect of source frequency and pulsing on the SiO2 etching characteristics of dual-frequency capacitive coupled plasma
著者 (6件):
KIM Hoe Jun
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
JEON Min Hwan
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
MISHRA Anurag Kumar
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
KIM In Jun
(SEMES, Gyeonggi, KOR)
,
SIN Tae Ho
(SEMES, Gyeonggi, KOR)
,
YEOM Geun Young
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
54
号:
1S
ページ:
01AE07.1-01AE07.6
発行年:
2015年01月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)