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J-GLOBAL ID：201502249606221026 整理番号：15A0505533

FLA法を用いて作製した高性能多結晶Ge tri-gate p-/n-MOSFETの実証

著者 (6件)：

臼田宏治

(東芝研開セ)

鎌田善己

(東芝研開セ)

上牟田雄一

(東芝研開セ)

森貴洋

(産総研 GNC)

小池正浩

(東芝研開セ)

手塚勉

(東芝研開セ)

資料名：

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))

巻： 62nd ページ： ROMBUNNO.11A-A23-1 発行年： 2015年02月26日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2436-7613 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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