文献
J-GLOBAL ID:201502249799332768
整理番号:15A0392341
中性子照射GaN中のDX様中心の補償機構
Compensation mechanism of DX-like center in neutron transmutation doped GaN
著者 (6件):
NAKAMURA T.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
KAMIOKA K.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
KURIYAMA K.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
KUSHIDA K.
(Osaka Kyoiku Univ., Osaka, JPN)
,
XU Q.
(Kyoto Univ., Osaka, JPN)
,
HASEGAWA M.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名:
Solid State Communications
(Solid State Communications)
巻:
205
ページ:
1-3
発行年:
2015年02月23日
JST資料番号:
H0499A
ISSN:
0038-1098
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)