文献
J-GLOBAL ID:201502250354994416
整理番号:15A0397117
原子層堆積Al2O3上の強められたグラフェンの接着によるボトムゲート共面グラフェントランジスタ
Bottom-gate coplanar graphene transistors with enhanced graphene adhesion on atomic layer deposition Al2O3
著者 (5件):
PARK Dong-wook
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Wisconsin-Madison, Madison, Wisconsin 53706, USA)
,
MIKAEL Solomon
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Wisconsin-Madison, Madison, Wisconsin 53706, USA)
,
CHANG Tzu-hsuan
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Wisconsin-Madison, Madison, Wisconsin 53706, USA)
,
GONG Shaoqin
(Dep. of Biomedical Engineering, and Wisconsin Inst. for Discovery, Univ. of Wisconsin-Madison, Madison, Wisconsin ...)
,
MA Zhenqiang
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Wisconsin-Madison, Madison, Wisconsin 53706, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
106
号:
10
ページ:
102106-102106-5
発行年:
2015年03月09日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)