文献
J-GLOBAL ID:201502251196832957
整理番号:15A0146411
照射の影響下でのヘテロバイポーラトランジスタの薄いベースを通る電荷キャリアの移動
Transport of charge carriers through the thin base of a heterobipolar transistor under the impact of radiation
著者 (4件):
PUZANOV A. S.
(Lobachevsky State Univ. of Nizhni Novgorod, 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
,
OBOLENSKII S. V.
(Lobachevsky State Univ. of Nizhni Novgorod, 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
,
KOZLOV V. A.
(Lobachevsky State Univ. of Nizhni Novgorod, 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
,
KOZLOV V. A.
(Russian Acad. of Sciences, Inst. for Physics of Microstructures, 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
49
号:
1
ページ:
69-74
発行年:
2015年01月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)