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文献
J-GLOBAL ID:201502251218784781   整理番号:15A0213202

反応性RFスパッタリングにより調製されたa-InxGa1-xN膜における熱アニーリングの影響

Effect of thermal annealing in a-InxGa1-xN films prepared by reactive RF-sputtering
著者 (7件):
SUZUKI Toshimasa
(Gifu Univ., Gifu, JPN)
KATAYAMA Ruichi
(Gifu Univ., Gifu, JPN)
HIBINO Shun
(Gifu Univ., Gifu, JPN)
KATO Yoshinori
(Gifu Univ., Gifu, JPN)
OHASHI Fumitaka
(Gifu Univ., Gifu, JPN)
ITOH Takashi
(Gifu Univ., Gifu, JPN)
NONOMURA Shuichi
(Gifu Univ., Gifu, JPN)

資料名:
Canadian Journal of Physics  (Canadian Journal of Physics)

巻: 92  号: 7/8  ページ: 943-946  発行年: 2014年07月 
JST資料番号: B0229A  ISSN: 0008-4204  CODEN: CJPHAD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: カナダ (CAN)  言語: 英語 (EN)
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