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文献
J-GLOBAL ID：201502251218784781
整理番号：15A0213202
反応性RFスパッタリングにより調製されたa-InxGa1-xN膜における熱アニーリングの影響
Effect of thermal annealing in a-InxGa1-xN films prepared by reactive RF-sputtering
SUZUKI Toshimasa
(Gifu Univ., Gifu, JPN)
,
KATAYAMA Ruichi
(Gifu Univ., Gifu, JPN)
,
HIBINO Shun
(Gifu Univ., Gifu, JPN)
,
KATO Yoshinori
(Gifu Univ., Gifu, JPN)
,
OHASHI Fumitaka
(Gifu Univ., Gifu, JPN)
,
ITOH Takashi
(Gifu Univ., Gifu, JPN)
,
NONOMURA Shuichi
(Gifu Univ., Gifu, JPN)
資料名：
Canadian Journal of Physics
(Canadian Journal of Physics)
巻： 92 号： 7/8 ページ： 943-946 発行年： 2014年07月
JST資料番号： B0229A ISSN： 0008-4204 CODEN： CJPHAD 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： カナダ (CAN) 言語： 英語 (EN)
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