前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201502251255835353
整理番号：15A0529433
格子整合InAlN/GaN MOSHEMTの界面状態密度依存性に基づくシート電荷密度と閾値電圧を予測するモデル
A model predicting sheet charge density and threshold voltage with dependence on interface states density in LM-InAlN/GaN MOSHEMT
PANDEY Devashish
(National Inst. of Technol. Silchar, Dep. of Electronics and communication Engineering, 788010, Silchar, Assam, IND)
,
LENKA T. R.
(National Inst. of Technol. Silchar, Dep. of Electronics and communication Engineering, 788010, Silchar, Assam, IND)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 49 号： 4 ページ： 513-518 発行年： 2015年04月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。