文献
J-GLOBAL ID:201502251255835353
整理番号:15A0529433
格子整合InAlN/GaN MOSHEMTの界面状態密度依存性に基づくシート電荷密度と閾値電圧を予測するモデル
A model predicting sheet charge density and threshold voltage with dependence on interface states density in LM-InAlN/GaN MOSHEMT
著者 (2件):
PANDEY Devashish
(National Inst. of Technol. Silchar, Dep. of Electronics and communication Engineering, 788010, Silchar, Assam, IND)
,
LENKA T. R.
(National Inst. of Technol. Silchar, Dep. of Electronics and communication Engineering, 788010, Silchar, Assam, IND)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
49
号:
4
ページ:
513-518
発行年:
2015年04月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)