文献
J-GLOBAL ID:201502251437112500
整理番号:15A0460621
二段階活性化におけるGaAs光電陰極の表面ポテンシャル障壁の変化
Change of the Surface potential Barrier of GaAs Photocathode during Two-step Activation
著者 (5件):
NIU Jun
(Nanjing Univ. Sci. and Technol., Jiangsu, CHN)
,
NIU Jun
(Nanyang Inst. Technol., Nanyang, CHN)
,
GAO Youtang
(Nanjing Univ. Sci. and Technol., Jiangsu, CHN)
,
QIAN Yunsheng
(Nanjing Univ. Sci. and Technol., Jiangsu, CHN)
,
CHANG Benkang
(Nanjing Univ. Sci. and Technol., Jiangsu, CHN)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
9284
ページ:
92840T.1-92840T.6
発行年:
2014年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)