文献
J-GLOBAL ID:201502251692580380
整理番号:15A0758839
二次元Ge,Sn,およびPbにおける電気的に操作されたバンドギャップ:第一原法理および強束縛法でのアプローチ
Electrically Engineered Band Gap in Two-Dimensional Ge, Sn, and Pb: A First-Principles and Tight-Binding Approach
著者 (6件):
KALONI Thaneshwor P.
(Univ. Manitoba, Manitoba, CAN)
,
MODARRESI Mohsen
(Ferdowsi Univ. Mashhad, Mashhad, IRN)
,
TAHIR Muhammad
(Concordia Univ., Quebec, CAN)
,
ROKNABADI Mahmood Rezaee
(Ferdowsi Univ. Mashhad, Mashhad, IRN)
,
SCHRECKENBACH Georg
(Univ. Manitoba, Manitoba, CAN)
,
FREUND Michael S.
(Univ. Manitoba, Manitoba, CAN)
資料名:
Journal of Physical Chemistry C
(Journal of Physical Chemistry C)
巻:
119
号:
21
ページ:
11896-11902
発行年:
2015年05月28日
JST資料番号:
W1877A
ISSN:
1932-7447
CODEN:
JPCCCK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)