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文献
J-GLOBAL ID：201502251692580380
整理番号：15A0758839
二次元Ge,Sn,およびPbにおける電気的に操作されたバンドギャップ:第一原法理および強束縛法でのアプローチ
Electrically Engineered Band Gap in Two-Dimensional Ge, Sn, and Pb: A First-Principles and Tight-Binding Approach
KALONI Thaneshwor P.
(Univ. Manitoba, Manitoba, CAN)
,
MODARRESI Mohsen
(Ferdowsi Univ. Mashhad, Mashhad, IRN)
,
TAHIR Muhammad
(Concordia Univ., Quebec, CAN)
,
ROKNABADI Mahmood Rezaee
(Ferdowsi Univ. Mashhad, Mashhad, IRN)
,
SCHRECKENBACH Georg
(Univ. Manitoba, Manitoba, CAN)
,
FREUND Michael S.
(Univ. Manitoba, Manitoba, CAN)
資料名：
Journal of Physical Chemistry C
(Journal of Physical Chemistry C)
巻： 119 号： 21 ページ： 11896-11902 発行年： 2015年05月28日
JST資料番号： W1877A ISSN： 1932-7447 CODEN： JPCCCK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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