文献
J-GLOBAL ID:201502251794400999
整理番号:15A0249711
レーザ干渉リソグラフィーと電気化学エッチングによる300nm周期の細孔アレイの形成
Formation of 300 nm period pore arrays by laser interference lithography and electrochemical etching
著者 (5件):
LIU J.
(Inst. des Nanotechnologies de Lyon (INL), Univ. de Lyon, UMR 5270, CNRS-INSA-ECL-UCBL, FRA)
,
KLEIMANN P.
(Inst. des Nanotechnologies de Lyon (INL), Univ. de Lyon, UMR 5270, CNRS-INSA-ECL-UCBL, FRA)
,
LAFFITE G.
(Inst. des Nanotechnologies de Lyon (INL), Univ. de Lyon, UMR 5270, CNRS-INSA-ECL-UCBL, FRA)
,
JAMOIS C.
(Inst. des Nanotechnologies de Lyon (INL), Univ. de Lyon, UMR 5270, CNRS-INSA-ECL-UCBL, FRA)
,
OROBTCHOUK R.
(Inst. des Nanotechnologies de Lyon (INL), Univ. de Lyon, UMR 5270, CNRS-INSA-ECL-UCBL, FRA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
106
号:
5
ページ:
053107-053107-4
発行年:
2015年02月02日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)