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文献
J-GLOBAL ID：201502254259888086
整理番号：15A0298488
エネルギー変換用600,1200,3300VプレーナSiC-MOSFETの特性
Characteristics of 600, 1200, and 3300V Planar SiC-MOSFETs for Energy Conversion Applications
IMAIZUMI Masayuki
(Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN)
,
MIURA Naruhisa
(Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN)
,
MIURA Naruhisa
(Future Power Electronics Technol., Minato, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62 号： 2 ページ： 390-395 発行年： 2015年02月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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