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文献
J-GLOBAL ID：201502254904864863
整理番号：15A0626576
量子容量限界でのDGとUTBB MOSFETの反転ゲート容量の為の解析モデル
Analytical Model for the Inversion Gate Capacitance of DG and UTBB MOSFETs at the Quantum Capacitance Limit
HIBLOT Gaspard
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
HIBLOT Gaspard
(Minatec-Grenoble Inst. Technol., Grenoble, FRA)
,
RAFHAY Quentin
(Minatec-Grenoble Inst. Technol., Grenoble, FRA)
,
BOEUF Frederic
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
GHIBAUDO Gerard
(Minatec-Grenoble Inst. Technol., Grenoble, FRA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62 号： 5 ページ： 1375-1382 発行年： 2015年05月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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