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文献
J-GLOBAL ID：201502255041069950
整理番号：15A0532916
イオン注入シリコンの固相エピタキシャル再成長における歪の役割の再研究
Revisiting the role of strain in solid-phase epitaxial regrowth of ion-implanted silicon
HU Kuan-Kan
(National Central Univ., Jungli, TWN)
,
LIANG Shin-Yang
(National Central Univ., Jungli, TWN)
,
WOON Wei Yen
(National Central Univ., Jungli, TWN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 8 号： 2 ページ： 021302.1-021302.4 発行年： 2015年02月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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