文献
J-GLOBAL ID:201502255419920433
整理番号:15A0295361
高性能窒化インジウムガリウム/窒化ガリウム系薄膜垂直発光ダイオードのためのn型接触設計及びチップサイズの最適化
Optimizing n-type contact design and chip size for high-performance indium gallium nitride/gallium nitride-based thin-film vertical light-emitting diode
著者 (7件):
HAN Jaecheon
(LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Paju-City, 413-901, KOR)
,
HAN Jaecheon
(Dep. of Nanophotonics, Korea Univ., Seoul, 136-713, KOR)
,
LEE Daehee
(LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Paju-City, 413-901, KOR)
,
JIN Boram
(LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Paju-City, 413-901, KOR)
,
JEONG Hwanhee
(LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Paju-City, 413-901, KOR)
,
SONG June-O
(LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Paju-City, 413-901, KOR)
,
SEONG Tae-Yeon
(Dep. of Nanophotonics, Korea Univ., Seoul, 136-713, KOR)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
31
ページ:
153-159
発行年:
2015年03月
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)