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文献
J-GLOBAL ID：201502255419920433
整理番号：15A0295361
高性能窒化インジウムガリウム/窒化ガリウム系薄膜垂直発光ダイオードのためのn型接触設計及びチップサイズの最適化
Optimizing n-type contact design and chip size for high-performance indium gallium nitride/gallium nitride-based thin-film vertical light-emitting diode
HAN Jaecheon
(LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Paju-City, 413-901, KOR)
,
HAN Jaecheon
(Dep. of Nanophotonics, Korea Univ., Seoul, 136-713, KOR)
,
LEE Daehee
(LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Paju-City, 413-901, KOR)
,
JIN Boram
(LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Paju-City, 413-901, KOR)
,
JEONG Hwanhee
(LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Paju-City, 413-901, KOR)
,
SONG June-O
(LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Paju-City, 413-901, KOR)
,
SEONG Tae-Yeon
(Dep. of Nanophotonics, Korea Univ., Seoul, 136-713, KOR)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 31 ページ： 153-159 発行年： 2015年03月
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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