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文献
J-GLOBAL ID：201502255624448500
整理番号：15A0561626
ウエハースケールの均一性を持つ,原子3個分の厚さの高移動度半導体膜
High-mobility three-atom-thick semiconducting films with wafer-scale homogeneity
KANG Kibum
(Cornell Univ., New York, USA)
,
HUANG Lujie
(Cornell Univ., New York, USA)
,
KIM Cheol-Joo
(Cornell Univ., New York, USA)
,
PARK Jiwoong
(Cornell Univ., New York, USA)
,
XIE Saien
(Cornell Univ., New York, USA)
,
HAN Yimo
(Cornell Univ., New York, USA)
,
HUANG Pinshane Y.
(Cornell Univ., New York, USA)
,
MULLER David
(Cornell Univ., New York, USA)
,
MAK Kin Fai
(Kavli Inst. at Cornell for Nanoscale Sci., New York, USA)
,
MULLER David
(Kavli Inst. at Cornell for Nanoscale Sci., New York, USA)
,
PARK Jiwoong
(Kavli Inst. at Cornell for Nanoscale Sci., New York, USA)
,
MAK Kin Fai
(Cornell Univ., New York, USA)
資料名：
Nature (London)
(Nature (London))
巻： 520 号： 7549 ページ： 656-660 発行年： 2015年04月30日
JST資料番号： D0193B ISSN： 0028-0836 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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