文献
J-GLOBAL ID:201502256042435027
整理番号:15A0497473
イオンビーム強化蒸着法によって作製したZnO:(Li,N)薄膜の特性に及ぼすポストアニーリング時間の影響
Influence of post-annealing time on properties of ZnO: (Li, N) thin films prepared by ion beam enhanced deposition method
著者 (3件):
XIE Jiansheng
(Changzhou Univ., Functional Materials Lab., 213016, Changzhou, Jiangsu, CHN)
,
LU Qi-Fei
(Changzhou Univ., Functional Materials Lab., 213016, Changzhou, Jiangsu, CHN)
,
CHEN Qiang
(Changzhou Univ., Functional Materials Lab., 213016, Changzhou, Jiangsu, CHN)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
26
号:
5
ページ:
2669-2673
発行年:
2015年05月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)