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文献
J-GLOBAL ID：201502256119181686
整理番号：15A0600601
pチャネル電力U-MOSFETのNBTIの物理的機構におよぼすバイアスおよび温度条件の影響
Influence of bias and temperature conditions on NBTI physical mechanisms in p-channel power U-MOSFETs
TALLARICO Andrea Natale
(Univ. Bologna, Cesena, ITA)
,
MAGNONE Paolo
(Univ. Padova, Vicenza, ITA)
,
BARLETTA Giacomo
(STMicroelectronics, Catania, ITA)
,
MAGRI Angelo
(STMicroelectronics, Catania, ITA)
,
SANGIORGI Enrico
(Univ. Bologna, Cesena, ITA)
,
FIEGNA Claudio
(Univ. Bologna, Cesena, ITA)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 108 ページ： 42-46 発行年： 2015年06月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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