文献
J-GLOBAL ID:201502256509795731
整理番号:15A0684595
ナノメータプロセス下でのMOSFETにおけるリーク電流に関する検討と基準回路への適用
Study and Application of Leakage Currents in MOSFET Under Nanometer Process to Reference Circuits
著者 (4件):
XU Zhentao
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
,
GAO Baoling
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
,
LIU Yang
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
,
YU Qi
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
資料名:
Nanoscience and Nanotechnology Letters
(Nanoscience and Nanotechnology Letters)
巻:
7
号:
3
ページ:
281-286
発行年:
2015年03月
JST資料番号:
W2373A
ISSN:
1941-4900
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)