文献
J-GLOBAL ID:201502256596447248
整理番号:15A0701370
高易動度で安定な1200V,150A 4H-SiC DMOSFETの高電流密度過渡条件下における長期信頼性
High-Mobility Stable 1200-V, 150-A 4H-SiC DMOSFET Long-Term Reliability Analysis Under High Current Density Transient Conditions
著者 (9件):
SCHROCK James A.
(Texas Tech Univ., TX, USA)
,
RAY William B., II
(Texas Tech Univ., TX, USA)
,
LAWSON Kevin
(Texas Tech Univ., TX, USA)
,
BILBAO Argenis
(Texas Tech Univ., TX, USA)
,
BAYNE Stephen B.
(Texas Tech Univ., TX, USA)
,
HOLT Shad L.
(Texas Tech Univ., TX, USA)
,
CHENG Lin
(Cree, Inc., NC, USA)
,
PALMOUR John W.
(Cree, Inc., NC, USA)
,
SCOZZIE Charles
(Army Res. Lab., MD, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Power Electronics
(IEEE Transactions on Power Electronics)
巻:
30
号:
6
ページ:
2891-2895
発行年:
2015年06月
JST資料番号:
D0211B
ISSN:
0885-8993
CODEN:
ITPEE8
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)