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文献
J-GLOBAL ID：201502256596447248
整理番号：15A0701370
高易動度で安定な1200V,150A 4H-SiC DMOSFETの高電流密度過渡条件下における長期信頼性
High-Mobility Stable 1200-V, 150-A 4H-SiC DMOSFET Long-Term Reliability Analysis Under High Current Density Transient Conditions
SCHROCK James A.
(Texas Tech Univ., TX, USA)
,
RAY William B., II
(Texas Tech Univ., TX, USA)
,
LAWSON Kevin
(Texas Tech Univ., TX, USA)
,
BILBAO Argenis
(Texas Tech Univ., TX, USA)
,
BAYNE Stephen B.
(Texas Tech Univ., TX, USA)
,
HOLT Shad L.
(Texas Tech Univ., TX, USA)
,
CHENG Lin
(Cree, Inc., NC, USA)
,
PALMOUR John W.
(Cree, Inc., NC, USA)
,
SCOZZIE Charles
(Army Res. Lab., MD, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Power Electronics
(IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 30 号： 6 ページ： 2891-2895 発行年： 2015年06月
JST資料番号： D0211B ISSN： 0885-8993 CODEN： ITPEE8 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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