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文献
J-GLOBAL ID：201502256699990993
整理番号：15A0221204
高応答性と高感度のグラフェンドット/a-IGZO薄膜フォトトランジスタ
High-Responsivity and High-Sensitivity Graphene Dots/a-IGZO Thin-Film Phototransistor
PEI Zingway
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
LAI Hsin-Cheng
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
WANG Jian-Yu
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
CHIANG Wei-Hung
(National Taiwan Univ. Sci. and Technol., Taipei, TWN)
,
CHEN Chien-Hsun
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 36 号： 1 ページ： 44-46 発行年： 2015年01月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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