文献
J-GLOBAL ID:201502256747634940
整理番号:15A0598882
動作マージンの拡大とリーク電流の低減を両立した低電圧動作1電源6-Tr CMOS SRAMの開発
A High Stability and Low Leakage Current Six-Transistor CMOS SRAM Employing a Single Low Supply Voltage
著者 (4件):
小林伸彰
(中央大 大学院理工学研究科)
,
伊藤隆祐
(中央大 大学院理工学研究科)
,
本島浩二
(中央大 大学院理工学研究科)
,
榎本忠儀
(中央大 大学院理工学研究科)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
114
号:
476(VLD2014 153-184)
ページ:
43-48
発行年:
2015年02月23日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)