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文献
J-GLOBAL ID：201502260136763190
整理番号：15A0734302
メタモルフィックInxAl1-xAsに基づく歪み緩和の緩衝技術
Strain-relaxed buffer technology based on metamorphic In Al1- As
LOKE Wan Khai
(School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ. (NTU), Nanyang Avenue, Singapore ...)
,
TAN Kian Hua
(School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ. (NTU), Nanyang Avenue, Singapore ...)
,
WICAKSONO Satrio
(School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ. (NTU), Nanyang Avenue, Singapore ...)
,
YOON Soon Fatt
(School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ. (NTU), Nanyang Avenue, Singapore ...)
,
WANG Wei
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore (NUS), Singapore, Singapore 117576)
,
ZHOU Qian
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore (NUS), Singapore, Singapore 117576)
,
YEO Yee-Chia
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore (NUS), Singapore, Singapore 117576)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 424 ページ： 68-76 発行年： 2015年08月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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