文献
J-GLOBAL ID:201502260893777661
整理番号:15A0700971
CVD成長させた高濃度Alドープの4H-SiCエピウェーハの反りのNの同時ドーピングによる緩和に関する実験
Experiment on alleviating the bending of CVD-grown heavily Al-doped 4H-SiC epiwafer by codoping of N
著者 (8件):
JI Shi-Yang
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KOJIMA Kazutoshi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ISHIDA Yuuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SAITO Shingo
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YAMAGUCHI Hirotaka
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YOSHIDA Sadafumi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
TSUCHIDA Hidekazu
(Central Res. Inst. Electric Power Ind. (CRIEPI), Kanagawa, JPN)
,
OKUMURA Hajime
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
54
号:
4S
ページ:
04DP08.1-04DP08.4
発行年:
2015年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)