文献
J-GLOBAL ID:201502261192470886
整理番号:15A0755808
in situ PLおよびSPVモニタしたc-Si上の固有a-Si層の金属支援エッチング時の電荷キャリア注入
In Situ PL and SPV Monitored Charge Carrier Injection During Metal Assisted Etching of Intrinsic a-Si Layers on c-Si
著者 (4件):
GREIL Stefanie M.
(Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, DEU)
,
RAPPICH Joerg
(Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, DEU)
,
KORTE Lars
(Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, DEU)
,
BASTIDE Stephane
(Inst. Chimie et des Materiaux Paris-Est-CMTR, CNRS, Thiais, FRA)
資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻:
7
号:
21
ページ:
11654-11659
発行年:
2015年06月03日
JST資料番号:
W2329A
ISSN:
1944-8244
CODEN:
AAMICK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)