文献
J-GLOBAL ID:201502261584538640
整理番号:15A0445750
光伝導半導体スイッチアプリケーション用のn型4H-SiCのプラズマエッチング
Plasma Etching of n-Type 4H-SiC for Photoconductive Semiconductor Switch Applications
著者 (5件):
EKINCI Huseyin
(Texas Tech Univ., Nano Tech Center, 79409-1051, Lubbock, TX, USA)
,
KURYATKOV Vladimir V.
(Texas Tech Univ., Nano Tech Center, 79409-1051, Lubbock, TX, USA)
,
MAUCH Daniel L.
(Texas Tech Univ., Center for Pulsed Power and Power Electronics, 79409-3102, Lubbock, TX, USA)
,
DICKENS James C.
(Texas Tech Univ., Center for Pulsed Power and Power Electronics, 79409-3102, Lubbock, TX, USA)
,
NIKISHIN Sergey A.
(Texas Tech Univ., Nano Tech Center, 79409-1051, Lubbock, TX, USA)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
44
号:
5
ページ:
1300-1305
発行年:
2015年05月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)