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文献
J-GLOBAL ID：201502262491651575
整理番号：15A0434661
マグネシウムの傾斜角イオン注入を使ったGaN MISFETの閾値電圧制御
THRESHOLD VOLTAGE CONTROL OF GaN MISFETs USING TILT ANGLE ION IMPLANTATION OF MAGNESIUM
KASAI Hayao
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
OIKAWA Takuya
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
OGAWA Hiroki
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
MISHIMA Tomoyoshi
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
NAKAMURA Tohru
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement
(Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 33 ページ： 91-96 発行年： 2015年03月
JST資料番号： L0263A ISSN： 0914-2908 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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