文献
J-GLOBAL ID:201502262491651575
整理番号:15A0434661
マグネシウムの傾斜角イオン注入を使ったGaN MISFETの閾値電圧制御
THRESHOLD VOLTAGE CONTROL OF GaN MISFETs USING TILT ANGLE ION IMPLANTATION OF MAGNESIUM
著者 (5件):
KASAI Hayao
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
OIKAWA Takuya
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
OGAWA Hiroki
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
MISHIMA Tomoyoshi
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
NAKAMURA Tohru
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement
(Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号:
33
ページ:
91-96
発行年:
2015年03月
JST資料番号:
L0263A
ISSN:
0914-2908
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)