文献
J-GLOBAL ID:201502263235830884
整理番号:15A0609802
ホウ素をδドープしたSiGe/Si量子井戸の励起子ルミネセンス
Excitonic luminescence of SiGe/Si quantum wells δ-doped with boron
著者 (6件):
BAGAEV V. S.
(P.N. Lebedev Physical Inst., Russian Acad. of Sciences, Moscow, RUS)
,
KRIVOBOK V. S.
(P.N. Lebedev Physical Inst., Russian Acad. of Sciences, Moscow, RUS)
,
NIKOLAEV S. N.
(P.N. Lebedev Physical Inst., Russian Acad. of Sciences, Moscow, RUS)
,
NOVIKOV A. V.
(Inst. for Physics of Microstructures Russian Acad. of Sciences, Nizhny Novgorod, RUS)
,
ONISHCHENKO E. E.
(P.N. Lebedev Physical Inst., Russian Acad. of Sciences, Moscow, RUS)
,
PRUCHKINA A. A.
(P.N. Lebedev Physical Inst., Russian Acad. of Sciences, Moscow, RUS)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
117
号:
18
ページ:
185705-185705-7
発行年:
2015年05月14日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)