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文献
J-GLOBAL ID：201502264014162123
整理番号：15A0533126
表面活性化ボンディングによるSi/Si接合の電気特性のアニール効果
Effects of annealing on electrical properties of Si/Si junctions by surface-activated bonding
MORIMOTO Masashi
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
LIANG Jianbo
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
NISHIDA Shota
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
SHIGEKAWA Naoteru
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54 号： 3 ページ： 030212.1-030212.5 発行年： 2015年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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