文献
J-GLOBAL ID:201502265056292759
整理番号:15A0133512
大きな閾値電圧を持つ高組成AlGaNチャネル高電子移動度トランジスタのモデリング
Modeling of high composition AlGaN channel high electron mobility transistors with large threshold voltage
著者 (5件):
BAJAJ Sanyam
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
,
HUNG Ting-hsiang
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
,
AKYOL Fatih
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
,
NATH Digbijoy
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
,
RAJAN Siddharth
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
105
号:
26
ページ:
263503-263503-4
発行年:
2014年12月29日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)