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文献
J-GLOBAL ID：201502265368184953
整理番号：15A0328738
サブ閾値アプリケーション用のゲート容量特性を改良した逆基板層を使用したFinFETs
FinFETs using reverse substrate layer with improved gate capacitance characteristics for subthreshold application
WEI Xing
(Inst. of Microelectronics of Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
ZHONG Jian
(Inst. of Microelectronics of Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
LUO Jun
(Inst. of Microelectronics of Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
WU Hao
(Inst. of Microelectronics of Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
ZHU Huilong
(Inst. of Microelectronics of Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
ZHAO Chao
(Inst. of Microelectronics of Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
YIN Haizhou
(Inst. of Microelectronics of Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 104 ページ： 116-121 発行年： 2015年02月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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