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文献
J-GLOBAL ID：201502267366495075
整理番号：15A0476974
絶縁破壊動作分析のためのRF MOSFET用の改善された4端子等価回路網モデル
An Improved Four-Port Equivalent Circuit Model of RF MOSFETs for Breakdown Operation
LEE Chie-In
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
LIN Yan-Ting
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
LIN Wei-Cheng
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
資料名：
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 15 号： 1 ページ： 109-114 発行年： 2015年03月
JST資料番号： W1320A ISSN： 1530-4388 CODEN： ITDMA2 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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