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文献
J-GLOBAL ID：201502269430877036
整理番号：15A0458268
非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善
Scaling Breakthrough for Analog/Digital Circuits by Suppressing Variability and Low-Frequency Noise for FinFETs by Amorphous Metal Gate Technology
松川貴
(産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門)
,
福田浩一
(産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門)
,
LIU Yongxun
(産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門)
,
塚田順一
(産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門)
,
山内洋美
(産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門)
,
石川由紀
(産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門)
,
遠藤和彦
(産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門)
,
大内真一
(産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門)
,
右田真司
(産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門)
,
水林亘
(産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門)
,
森田行則
(産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門)
,
太田裕之
(産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門)
,
昌原明植
(産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114 号： 421(SDM2014 135-146) ページ： 41-44 発行年： 2015年01月20日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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