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文献
J-GLOBAL ID：201502269715649681
整理番号：15A0440614
空格子点ドリフト抵抗スイッチの低電圧2状態変数メムリスタモデル
Low voltage two-state-variable memristor model of vacancy-drift resistive switches
ZHANG Lu
(Univ. of Pittsburgh, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 15261, Pittsburgh, PA, USA)
,
GE Ning
(Hewlett-Packard Laboratories, 1501 Page Mill Road, 94304, Palo Alto, CA, USA)
,
JOSHUA YANG J.
(Hewlett-Packard Laboratories, 1501 Page Mill Road, 94304, Palo Alto, CA, USA)
,
JOSHUA YANG J.
(Univ. of Massachusetts, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 01003-9292, Amherst, MA, USA)
,
LI Zhiyong
(Hewlett-Packard Laboratories, 1501 Page Mill Road, 94304, Palo Alto, CA, USA)
,
STANLEY WILLIAMS R.
(Hewlett-Packard Laboratories, 1501 Page Mill Road, 94304, Palo Alto, CA, USA)
,
CHEN Yiran
(Univ. of Pittsburgh, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 15261, Pittsburgh, PA, USA)
資料名：
Applied Physics. A. Materials Science & Processing
(Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 119 号： 1 ページ： 1-9 発行年： 2015年04月
JST資料番号： D0256C ISSN： 0947-8396 CODEN： APHYCC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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