文献
J-GLOBAL ID:201502270186431428
整理番号:15A0513885
アルミナ湿度センサでのISFETドリフト-ライク・エージングの妥当な機構
A plausible ISFET drift-like aging mechanism for Al2O3 humidity sensor
著者 (2件):
KHANNA Vinod Kumar
(MEMS & Microsensors Group, CSIR-Central Electronics Engineering Res. Inst., Pilani 333031, Rajasthan, IND)
,
KHANNA Vinod Kumar
(Acad. of Scientific & Innovative Res. (AcSIR), New Delhi 110001, IND)
資料名:
Sensors and Actuators. B. Chemical
(Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻:
213
ページ:
351-359
発行年:
2015年07月05日
JST資料番号:
T0967A
ISSN:
0925-4005
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)