文献
J-GLOBAL ID:201502270470793216
整理番号:15A0473231
将来のパワーデバイスに向けたSiC/SiO2界面の第一原理研究
First Principles Study of SiC/SiO2 Interfaces towards Future Power Devices
著者 (8件):
SHIRAISHI K.
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SHIRAISHI K.
(Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN)
,
CHOKAWA K.
(Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN)
,
SHIRAKAWA H.
(Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN)
,
ENDO K.
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ARAIDAI M.
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KAMIYA K.
(Kanagawa Inst. Technol., Atsugi, JPN)
,
WATANABE H.
(Osaka Univ., Suita, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2014
ページ:
538-541
発行年:
2014年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)