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文献
J-GLOBAL ID：201502271037817930
整理番号：15A0418848
シリコン基板上のゲルマニウム-on-絶縁体モノリシック集積のためのゲルマニウムの横方向被覆成長
Lateral overgrowth of germanium for monolithic integration of germanium-on-insulator on silicon
NAM Ju Hyung
(Deptartment of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, CA 94305-4075, USA)
,
ALKIS Sabri
(Dep. of Electrical and Electronics Engineering, UNAM-National Nanotechnology Res. Center, Inst. of Materials Sci. ...)
,
NAM Donguk
(Deptartment of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, CA 94305-4075, USA)
,
AFSHINMANESH Farzaneh
(Geballe Lab. for Advanced Materials, Stanford Univ., 476 Lomita Mall, Stanford, CA 94305-4045, USA)
,
SHIM Jaewoo
(School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon, Gyeonggi Province 440-746, KOR)
,
PARK Jin-Hong
(School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon, Gyeonggi Province 440-746, KOR)
,
BRONGERSMA Mark
(Geballe Lab. for Advanced Materials, Stanford Univ., 476 Lomita Mall, Stanford, CA 94305-4045, USA)
,
OKYAY Ali Kemal
(Dep. of Electrical and Electronics Engineering, UNAM-National Nanotechnology Res. Center, Inst. of Materials Sci. ...)
,
KAMINS Theodore I.
(Deptartment of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, CA 94305-4075, USA)
,
SARASWAT Krishna
(Deptartment of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, CA 94305-4075, USA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 416 ページ： 21-27 発行年： 2015年04月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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