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文献
J-GLOBAL ID：201502271109620435
整理番号：15A0375420
過酸化水素表面処理によるGaNベースのSchottkyダイオードの水素感度性能の向上
Enhancement of hydrogen sensing performance of a GaN-based Schottky diode with a hydrogen peroxide surface treatment
CHEN Chun-Chia
(Inst. of Microelectronics, Dep. of Electrical Engineering, National Cheng-Kung Univ., 1 Univ. Road, Tainan 70101 ...)
,
CHEN Huey-Ing
(Dep. of Chemical Engineering, National Cheng-Kung Univ., 1 Univ. Road, Tainan 70101, Taiwan, TWN)
,
LIU I-Ping
(Dep. of Chemical Engineering, National Cheng-Kung Univ., 1 Univ. Road, Tainan 70101, Taiwan, TWN)
,
LIU Hao-Yeh
(Inst. of Microelectronics, Dep. of Electrical Engineering, National Cheng-Kung Univ., 1 Univ. Road, Tainan 70101 ...)
,
CHOU Po-Cheng
(Inst. of Microelectronics, Dep. of Electrical Engineering, National Cheng-Kung Univ., 1 Univ. Road, Tainan 70101 ...)
,
LIOU Jian-Kai
(Inst. of Microelectronics, Dep. of Electrical Engineering, National Cheng-Kung Univ., 1 Univ. Road, Tainan 70101 ...)
,
LIU Wen-Chau
(Inst. of Microelectronics, Dep. of Electrical Engineering, National Cheng-Kung Univ., 1 Univ. Road, Tainan 70101 ...)
資料名：
Sensors and Actuators. B. Chemical
(Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 211 ページ： 303-309 発行年： 2015年05月
JST資料番号： T0967A ISSN： 0925-4005 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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