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文献
J-GLOBAL ID：201502271286441575
整理番号：15A0743103
原子論的キネティックモンテカルロ法を使った微細化Siプレーナーデバイスにおけるポケットドーパント非活性化とVth変動に与ええるその影響
Atomistic Modeling of Pocket Dopant Deactivation and Its Impact on Vth Variation in Scaled Si Planar Devices Using an Atomistic Kinetic Monte Carlo Approach
NODA Taiji
(Panasonic Corp., Osaka, JPN)
,
VRANCKEN Christa
(imec, Leuven, BEL)
,
VANDERVORST Wilfried
(imec, Leuven, BEL)
,
VANDERVORST Wilfried
(Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62 号： 6 ページ： 1789-1795 発行年： 2015年06月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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