文献
J-GLOBAL ID:201502271286441575
整理番号:15A0743103
原子論的キネティックモンテカルロ法を使った微細化Siプレーナーデバイスにおけるポケットドーパント非活性化とVth変動に与ええるその影響
Atomistic Modeling of Pocket Dopant Deactivation and Its Impact on Vth Variation in Scaled Si Planar Devices Using an Atomistic Kinetic Monte Carlo Approach
著者 (4件):
NODA Taiji
(Panasonic Corp., Osaka, JPN)
,
VRANCKEN Christa
(imec, Leuven, BEL)
,
VANDERVORST Wilfried
(imec, Leuven, BEL)
,
VANDERVORST Wilfried
(Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
62
号:
6
ページ:
1789-1795
発行年:
2015年06月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)