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文献
J-GLOBAL ID：201502271363701712
整理番号：15A0165506
有機金属化学気相成長法でCBr4ドーピング前駆体の流れを調節する2重ヘテロ接合バイポーラトランジスタの組成傾斜InxGa1-xAs1-ySby系を形成するための簡単な方法
A simple method for forming compositionally graded InxGb1-xAs1-ySby base of double-heterojunction bipolar transistors modulating CBr4-doping-precursor flow in metalorganic chemical vapor deposition
HOSHI Takuya
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
HOSHI Takuya
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
KASHIO Norihide
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
SUGIYAMA Hiroki
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
YOKOYAMA Haruki
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
KURISHIMA Kenji
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
IDA Minoru
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
MATSUZAKI Hideaki
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
GOTOH Hideki
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
GOTOH Hideki
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 7 号： 11 ページ： 114102.1-114102.4 発行年： 2014年11月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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