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文献
J-GLOBAL ID:201502272357547058   整理番号:15A0467629

GaSb基板上の希釈窒化物InGaSbN/InAs超格子のバンドギャップへの歪釣合い効果の理論研究

Theoretical study of the effects of strain balancing on the bandgap of dilute nitride InGaSbN/InAs superlattices on GaSb substrates
著者 (10件):
HAZBUN Ramsey
(Univ. of Delaware, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 140 Evans Hall, Newark, DE 19717, USA)
BHARGAVA Nupur
(Univ. of Delaware, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 140 Evans Hall, Newark, DE 19717, USA)
RODRIGUEZ-TORO Victor A.
(Univ. of Delaware, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 140 Evans Hall, Newark, DE 19717, USA)
RODRIGUEZ-TORO Victor A.
(Universidad del Valle, Escuela de Ingenieria Electrica y Electronica, A.A. 25360 Cali, Colombia)
GOOSSEN Keith
(Univ. of Delaware, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 140 Evans Hall, Newark, DE 19717, USA)
KOLODZEY James
(Univ. of Delaware, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 140 Evans Hall, Newark, DE 19717, USA)
RAM-MOHAN L. Ramdas
(Dep. of Physics, Worcester Polytechnic Inst., 100 Inst. Road, Worcester, MA 01609, USA)
AINA Leye
(Epitaxial Technologies, 1450 South Rolling Rd, Baltimore, MD 21227, USA)
FATHIMULLA Ayub
(Epitaxial Technologies, 1450 South Rolling Rd, Baltimore, MD 21227, USA)
HIER Harry
(Epitaxial Technologies, 1450 South Rolling Rd, Baltimore, MD 21227, USA)

資料名:
Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)

巻: 69  ページ: 211-217  発行年: 2015年03月 
JST資料番号: H0184A  ISSN: 1350-4495  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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