文献
J-GLOBAL ID:201502272393031467
整理番号:15A0222848
Gdをドープしたセリアにおける電歪のその場拡張X1000吸収分光微細構造
In-situ extended X-ray absorption fine structure study of electrostriction in Gd doped ceria
著者 (6件):
KOROBKO Roman
(Dep. of Materials and Interfaces, Weizmann Inst. of Sci., 234 Herzl Street, Rehovot 76100, ISR)
,
LERNER Alyssa
(Physics Dep., Yeshiva Univ., 245 Lexington Avenue, New York, New York 10016, USA)
,
LI Yuanyuan
(Physics Dep., Yeshiva Univ., 245 Lexington Avenue, New York, New York 10016, USA)
,
WACHTEL Ellen
(Dep. of Materials and Interfaces, Weizmann Inst. of Sci., 234 Herzl Street, Rehovot 76100, ISR)
,
FRENKEL Anatoly I.
(Physics Dep., Yeshiva Univ., 245 Lexington Avenue, New York, New York 10016, USA)
,
LUBOMIRSKY Igor
(Dep. of Materials and Interfaces, Weizmann Inst. of Sci., 234 Herzl Street, Rehovot 76100, ISR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
106
号:
4
ページ:
042904-042904-5
発行年:
2015年01月26日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)